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中芯国际推出28纳米HKMG制程 与联芯打造智能手机SoC芯片

中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联交所股票代码:981),与大唐电信科技产业集团旗下联芯科技有限公司(简称“联芯科技”),近日共同宣布,中芯国际28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程已成功流片,基于此平台,联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片,包括高性能应用处理器和移动基带功能,目前已通过验证,准备进入量产阶段。

中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圆代工企业。与传统的PolySiON制程相比,中芯国际28纳米HKMG技术将有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。基于中芯国际28纳米HKMG制程平台,联芯科技推出的智能手机SoC芯片拥有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗,CPU主频达1.6GHz。延续联芯科技在4G移动通信市场的佳绩,该芯片的面世将推动搭载“中国芯”的智能手机进一步扩大市场份额。

中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示,“很高兴能与联芯科技在28纳米HKMG平台进行合作,共同打造先进的智能手机SoC芯片。继采用中芯国际28纳米PolySiON制程的芯片加载主流智能手机后,我们的28纳米HKMG工艺也获得了终端客户的认可,商用在即。我们还将持续进行28纳米技术平台的开发及改善,预计将在2016年底推出基于HKMG制程的紧凑加强型版本,为客户提供更多优化的制程选择。”

联芯科技总经理钱国良表示,“联芯科技始终致力于3G/4G移动互联网终端核心技术的研发与应用,并坚持与产业链合作伙伴一起紧密协作,打造品质一流的芯片产品。此次与中芯国际在28纳米HKMG领域的合作,可谓产业协同,强强联合,将有力地推动国产芯片技术的发展。同时,此举将直接帮助联芯科技的芯片产品进一步提升性价比,服务于智能手机、智能汽车,以及机器人等领域,服务‘中国制造2025’。未来,我们还将与中芯国际继续强化合作,在更先进的技术节点上共同开发高性能的芯片产品。”

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